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InRel-NPower – Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Applications

三重大学三宅先生へのインタビュー記事についてはこちらをご覧ください

プロジェクトの目的

エネルギー損失が低い効率的なエネルギー変換システムは世界的に取り組まれているグリーンエコノミーの実現(省エネルギー化)に不可欠です。半導体デバイスは、多くの電力変換回路に用いられ、私達の日常生活でも様々な場面で役立っています。例えば電気自動車のバッテリー(直流)からモータードライブ(交流)への変換においてもこの半導体デバイスが用いられています。持続可能な電力エネルギー網の実現にはスイッチング性能が高い半導体デバイスが必要ですが、シリコンの代わりにワイドバンドギャップ半導体を用いた場合、変換効率が大幅に改善される事が分かっています。InRel-NPowerプロジェクトは窒化ガリウム(GaN)と窒化アルミニウム(AIN)を基盤としたワイドバンドギャップ半導体デバイスを開発し、世界のエネルギー課題の解決へ貢献していく事を目指しています。

このプロジェクトは、イタリア、フランス、ドイツ、ベルギー各地の研究組織10機関と、日本の三重大学と九州大学を加えた12機関からなるコンソーシアムによって実施されています。

日欧協力について

本プロジェクトには、日本から三重大学の三宅秀人教授と九州大学の寒川義裕准教授が参加しています。このプロジェクトに参加された主なきっかけは欧州共同研究者からの直接招請との事です。プロジェクトでは、三重大学が高品質AlNテンプレートの開発と供給を、九州大学が新規AlN成長法の開発と半導体エピタキシーの理論解析を担当しています。

また、日本側コンソーシアムの研究費は、国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)から助成されます。
https://www.jst.go.jp/sicp/announce_eujoint_03_GeneralInfo.html

Project Details

Project Participants

Coordination:
Università degli Studi di Padova ( Italy)

Organisations related to the project:
Bitron(Italy)
Centre National de la Recherche Scientifique (France)
Robert Bosch GmbH (Germany)
Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology (Germany)
Siemens(Germany)
EpiGaN (Belgium)
ON Semiconductor Belgium BVBA (Belgium)
Ghent University (Belgium)

International Partners:
Mie University (Coordinator in Japan)
Kyushu University (Japan)

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